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本公开提供了一种包括可变电阻器件的半导体器件。根据本公开的一个实施例的可变电阻元件包括：离子接收层，其具有顶部、底部和将顶部与底部连接的侧壁；离子供给层，其具有与离子接收层的侧壁的至少一部分连接的内侧壁；栅极图案，其连接到离子供给层的外侧壁；以及源极图案，其与离子接收层的顶部或底部之一连接，和漏极图案，其与离子接收层的顶部或底部中的另一个连接，其中离子接收层的电阻根据基于施加到栅极图案的电压而从离子供给层供应的离子的量来变化。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112993154 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202010559840.7
(22)申请日 2020.06.18
(30)优先权数据
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