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相变存储器及其制作方法.pdfVIP

相变存储器及其制作方法.pdf

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    本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；所述相变存储单元包括：层叠设置的第一诱导层和相变存储层；其中，所述第一诱导层，位于所述相变存储层和所述第一导电线之间，用于诱导所述相变存储层从非晶相向晶相转变。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112968037 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110296841.1 G11C 13/00 (2006.01) (22)申请日 2

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