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2023-06-11 发布于四川
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发光二极管芯片制备方法.pdf

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本公开提供了发光二极管芯片制备方法，属于发光二极管制作领域。先在P型半导体上制备P电极，P电极制备之后在P电极及P型半导体的表面覆盖光刻胶隔离层。光刻胶隔离层将P型半导体、P电极与其他结构之间隔开，并对P型半导体、P电极起到保护作用。后续N电极的制备不会对P电极造成影响，P电极也不会粘附上光刻胶或者其他杂质，P电极的表面较为干净。在N电极与P电极制备完之后，则去除光刻胶隔离层，再在P型半导体与N型半导体的表面沉积保护层。保护层与表面相对较为纯净的P、N电极之间形成较好的接触，降低P、N电极与保护

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993112 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202110143874.2 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.02

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