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一种单晶硅拉晶工艺方法.pdfVIP

一种单晶硅拉晶工艺方法.pdf

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    本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981520 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110024166.7 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人 隆基

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