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高压延伸漏极MOS（EDMOS）纳米线晶体管.pdfVIP

高压延伸漏极MOS（EDMOS）纳米线晶体管.pdf

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    本申请题为“高压延伸漏极MOS（EDMOS）纳米线晶体管”。本文中所公开的实施例包括半导体装置和形成这样的装置的方法。在实施例中，半导体装置包括衬底、衬底上方的源极区、衬底上方的漏极区以及从源极区延伸到漏极区的半导体本体。在实施例中，半导体本体具有：具有第一传导率类型的第一区；和具有第二传导率类型的第二区。在实施例中，半导体装置还包括半导体本体的第一区上方的栅极结构，其中，栅极结构更靠近源极区而不是漏极区。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993026 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011017940.3 H01L 21/335 (2006.01)

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