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发光二极管外延片及其生长方法.pdfVIP

发光二极管外延片及其生长方法.pdf

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    本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的氮化镓缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层是采用分子束外延法制备而成的，所述发光二极管外延片还包括设置在所述N型半导体层和所述多量子阱层之间的SiO2薄膜层，所述多量子阱层压印在所述SiO2薄膜层上，且部分所述多量子阱层穿过所述SiO2薄膜层与所述N型半导体层接触。该外延片可以保证外延片的波长一致性，保证发光二极管的发光效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113013299 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110108063.9 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请

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