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本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包括形成于基板上的第一介电层,以及两个存储器单元。此两个存储器单元包括两个彼此分离的底电极结构,分别填满位于第一介电层中的两个沟槽。此两个存储器单元亦包括电阻转态层以及顶电极结构。电阻转态层顺应性地形成于位于第一介电层中的开口的表面,且此开口位于两个沟槽之间。顶电极结构位于电阻转态层上且填满开口。第一介电层的顶表面、底电极结构的顶表面、电阻转态层的顶表面与顶电极结构的顶表面实质上共平面。本发明可大幅增加存储器单元的密度,从而可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113013327 A
(43)申请公布日
2021.06.22
(21)申请号 20191
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