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具漏磁场平衡层的磁性隧道结单元及磁性随机存储器.pdfVIP

具漏磁场平衡层的磁性隧道结单元及磁性随机存储器.pdf

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    一种具漏磁场平衡层的磁性隧道结单元及磁性随机存储器，在磁性隧道结(MTJ)的覆盖层之上，设置一层具有强烈垂直各向异性的漏磁场平衡层(StrayFieldBalanceLayer，SFBL)来调控合成反铁磁层和参考层在自由层上的漏磁场，具有强烈垂直各向异性的漏磁场平衡层的磁性隧道结单元，相对于传统的单纯具有的合成反铁磁层的磁性隧道结单元，具有更强的漏磁场和写电流调控能力，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113013325 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 201911319947.8 H10N 50/01 (2023.01)

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