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三维存储器件及其制造方法.pdfVIP

三维存储器件及其制造方法.pdf

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    本申请提供了一种三维存储器件及其制造方法。该三维存储器件包括：衬底，包括台阶区；堆叠结构，设置于衬底上，包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，所述堆叠结构位于所述台阶区的部分包括多个台阶，所述台阶对应一个所述栅极层；绝缘介质层，覆盖所述多个台阶；多个虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构贯穿所述绝缘介质层和所述堆叠结构的位于所述台阶区的部分，所述虚拟沟道结构包括保护层，所述保护层的材料与所述绝缘介质层的材料不同；以及多个导电柱，所述导电柱贯穿所述绝缘介质层，且与对应所述台阶的所述栅极层电连接。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112968029 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202110311888.0 H01L 27/11582 (2017.01)

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