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本发明提供了一种聚变装置内硼膜的制备方法，包括：在聚变装置的内壁沉积第一层硼膜，并对所述第一层硼膜进行辉光放电清洗；在清洗后的所述第一层硼膜上继续沉积多层硼膜，并且，在进行下一层硼膜沉积前，对当前沉积的硼膜进行辉光放电清洗，直至各层所述硼膜的总厚度达到预设值。本发明通过在聚变装置内部腔室分次沉积硼膜，在两次沉积硼膜的过程之间增加辉放电清洗步骤，能够清洗掉硼膜在沉积过程中的生长缺陷和疏松区域，使得再次沉积生长的硼膜和上一次生长的硼膜相互紧密地结合在一起，继而提高了整体硼膜的致密度，防止聚变过程中由
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112981366 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 201911282112.X C23C 16/02 (2006.01)
(22)申请日 2019.12
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