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用于溅射的靶(100),其包含SiZrxOy,其中x高于0.02但不高于5,并且y高于0.03但不高于2*(1+x),其中所述靶的XRD图谱具有如下峰:在28.29°±0.3°处的硅2θ峰,或在30.05°±0.3°处的四方相ZrO2的2θ峰。所述靶具有低的电阻率,其低于1000ohm.cm,优选低于100ohm.cm,更优选低于10ohm.cm,甚至低于1ohm.cm。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112996947 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 201980073212.3 F ·法克 H ·埃利亚诺
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