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VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达.pdfVIP

VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达.pdf

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    本发明公开了VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达。该VCSEL芯片包括衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、有源区、氧化层和P型布拉格反射镜，其中：所述氧化层和/或所述P型布拉格反射镜上形成有多个透光孔；或者，所述P型布拉格反射镜远离所述衬底的一侧设有多孔膜，所述多孔膜上形成有多个透光孔。该VCSEL芯片可以利用多个透光孔来改变光束在空间中的光场能量分布和波束方向，将其用于激光扫描雷达可以显著提高扫描精度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993750 B (45)授权公告日 2022.03.15 (21)申请号 202110118628.1 (51)Int.Cl.

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