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三维半导体器件.pdfVIP

三维半导体器件.pdf

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    一种三维半导体器件，包括：第一沟道图案，其位于衬底上并与衬底间隔开，第一沟道图案具有第一端和第二端以及在第一端与第二端之间连接的第一侧壁和第二侧壁，第一端和第二端在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开，第一侧壁和第二侧壁在与衬底的顶表面平行的第二方向上彼此间隔开，第二方向与第一方向相交；位线，其与第一沟道图案的第一端接触，位线在与衬底的顶表面垂直的第三方向上延伸；以及第一栅电极，其与第一沟道图案的第一侧壁相邻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992904 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011460967.X (22)申请日 2020.12.11 (30)优先权数据 10-2019-0

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