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一种透明导电薄膜的制备方法.pdfVIP

一种透明导电薄膜的制备方法.pdf

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    本发明提供一种透明导电薄膜制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上沉积含氢薄膜硅；室温下在所述含氢薄膜硅上形成晶态的透明导电氧化物层；含氧氛围下对所述晶态的透明导电氧化物层进行热处理。本发明使透明导电氧化物层沉积与氢原子扩散分步进行，采用含氧环境后退火的方法，抵消氢原子对透明导电氧化物层内载流子浓度的贡献，避免透明导电氧化物层内自由载流子浓度升高而引起电池光学性能下降；同时提升了载流子迁移率，改善了透明导电薄膜的电学性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112968076 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110338967.0 (22)申请日 2021.03.30 (71)申请人 深圳第三代半导体研究院

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