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硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法.pdfVIP

硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法.pdf

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    本发明公开了硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法。所述添加剂的主要成分包括：消泡剂3wt％‑8wt％，表面活性剂5wt％‑13wt％，分散剂2wt％‑7wt％，缓释剂1wt％‑5wt％，功能性助剂5wt％‑14wt％，山梨酸钾1wt％‑4wt％。所述去绕镀方法包括：采用包含碱和所述添加剂的去绕镀试剂，利用湿化学方法，对绕镀多晶硅或非晶硅的硅太阳能电池片进行去绕镀反应。本发明提供的添加剂适用于硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅过程，该添加剂可以在碱液去绕镀多晶

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113013029 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 201911328351.4 (51)Int.Cl.

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