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2023-06-11 发布于四川
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一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法.pdf

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本发明属于半导体制造领域，公开一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法，包括以下步骤：S1、将硅基载板和化合物半导体基板清洗干净并去除自然氧化层，通过电浆对硅基载板表面处理，激发硅基载板原子活性键；S2、将化合物半导体基板键合在硅基载板表面；S3、将放置好化合物半导体基板的硅基载板放入高温炉管中进行高温回火，使化合物半导体基板与硅基载板形成永久键合结构；S4、将与硅基载板键合后的化合物半导体基板进行后续晶圆制程。本发明将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013062 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110203812.6 (22)申请日 2021.02.23 (71)申请人绍兴同芯成集成电路有限公司

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