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本发明公开了一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法，用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。本申请可获得晶棒准确的电性能参数，为晶片分级、客户分类及技术调整提供有力的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112986633 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110437117.6
(22)申请日 2021.04.22
(71)申请人 中锗科技有限公司
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