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本发明公开了一种半导体激光器芯片的制备方法，制备得到芯片P面设有P型凹陷区和P型非凹陷区，P型凹陷区和P型非凹陷区依次间隔排列，芯片N面设有N型非凹陷区和N型凹陷区，N型非凹陷区和N型凹陷区依次间隔排列；该芯片结构在后续解理镀膜时，可以将芯片解理成巴条，并将巴条相互堆叠，相邻巴条之间可以通过P型凹陷区、N型非凹陷区相互配合放置，两端再放上垫条，镀膜时摆条切合度更高，能有效提高镀膜均匀性，提高膜层质量。本发明工艺设计合理，操作简单，同时芯片结构设计合理，不仅在降低生产成本的同时提高了镀膜效率，保证
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993756 B
(45)授权公告日 2022.02.08
(21)申请号 201911205144.X (56)对比文件
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