一种基于Bi掺杂硫锑银的无机薄膜太阳能电池及其制备方法.pdfVIP

一种基于Bi掺杂硫锑银的无机薄膜太阳能电池及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于Bi掺杂硫锑银的无机薄膜太阳能电池及其制备方法,涉及无机多元化合物薄膜光伏研究领域,所述无机薄膜太阳能电池采用正置结构,从下到上依次为衬底,透明导电阴极ITO,缓冲层,无机光吸收层,金属阳极,所述无机光吸收层为Bi掺杂AgSbS2无机光吸收层薄膜。本发明通过掺入Bi元素(掺杂摩尔量为Bi/(Bi+Sb)=1~5%),能够对AgSbS2薄膜的表面缺陷进行填充与钝化,提高了薄膜的质量,提高了电池的短路电流密度、开路电压和填充因子,使电池的转换效率得到提高。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112968067 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110212589.1 (22)申请日 2021.02.25 (71)申请人 电子

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