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本公开提供一次性编程存储器装置。一次性编程存储器装置包括一源极线、一位元线、一通道隔离结构、一通道结构、一垂直栅极电极以及一栅极介电层。源极线设置在底部介电层上方。位元线在第一方向上直接设置在源极线上方。通道隔离结构直接设置在源极线和位元线之间。在垂直于第一方向的第二方向上,通道结构设置在源极线与位元线之间并位于通道隔离结构旁边。垂直栅极电极在第一方向上从底部介电层延伸到位元线,并在第二方向上设置在通道隔离结构的旁边。栅极介电层设置在垂直栅极电极与位元线、源极线和通道结构之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992242 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202011389587.1
(22)申请日 2020.12.01
(30)优先权数据
62/948,90
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