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一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法.pdfVIP

一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法.pdf

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    本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法，该设计方法首先根据若干种场环终端结构，根据仿真结果确定出场环终端结构，再在确定出的场环终端结构基础上获得场版终端结构，在此基础上调整场环的数量，当最终的仿真结果在设计要求和经济要求都满足条件的情况下，确定出最终的碳化硅肖特基二极管的终端结构。该新型终端结构是一种复合型终端结构，在该终端结构上既有场环也有场版，应用该复合终端结构的碳化硅肖特基二极管击穿电压显著提高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112967931 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110217383.8 (22)申请日 2021.02.26 (71)申请人 西安微电子技术研究所

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