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本发明涉及电子元器件制造领域,特别涉及一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法。该研磨工艺包括以下工艺步骤:S100、产品烧结前进行中温处理:处理温度为625‑725℃;S200、所述中温处理后进行机台细磨:磨介为白刚玉粉,所述产品与白刚玉粉体积比为1:2;其运行曲线为:转速4‑8rpm下运行4.5‑5.5h,转速14‑18rpm下运行4.5‑5.5h,转速23‑27rpm下运行40‑50h。其提升了产品的综合质量,保证产品的一致性,提升产品的外观合格率;产品内部微裂纹减小,损耗角正切值降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112975583 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202110218924.9 H01G 13/00 (2013.01)
(22)申请日
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