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提供能够提高机械强度、能够提高制造时的成品率、或者能够实现大面积的器件的化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法。化合物半导体装置(100)具备：在俯视地观察的情况下具有包围孔(21)的形状的Si基板(1)；形成于Si基板(1)的上表面(1a)且覆盖孔(21)的SiC层(3)；形成于SiC层(3)的上表面侧的含Ga的氮化物层(10)；和形成于氮化物层(10)的上表面侧的源极电极(13)、漏极电极(15)以及栅极电极(17)。能够通过对栅极电极(17)施加的电压来控制流过源
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112997283 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 201980072627.9 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任
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