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本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法,属于半导体领域。以使SRAM存储单元中的存储数据在两个节点之间不断交换,均衡老化问题,消除阈值失配。SRAM存储单元包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器,第一反相器的输入端和第二反相器的输出端串接有第一选通管。从属电路包括依次连接的第二选通管、第三反向器和第三选通管。第二选通管和第三选通管通过第一反相器的输入端,与主电路电连接。在一个周期内,第一选通管、第二选通管以及第三选通管上施加的控制信号由第一控制信
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992225 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110195016.2
(22)申请日 2021.02.19
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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