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一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法.pdf

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    本发明提供一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法，一、采用带控温的加电仪表对光发射器件的不带电驱动芯片进行加电控温，用光纤将芯片发光传到波长计探测波长；二、使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温，使光芯片发光，用光纤将芯片发光先传到分波器再用波长计分别探测各通道波长；三、将上述两种方法得出的光芯片的波长对应出光芯片的实际温度，并进行实际工作温度的对比；四、当使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温时，对比每多开一个通道光芯片的工作实际温度。旨在

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112964374 B (45)授权公告日 2022.04.05 (21)申请号 202110223538.9 G01K 7/22 (2006.01) (22)申请日 2

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