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半导体结构形成.pdfVIP

半导体结构形成.pdf

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    本申请案涉及半导体结构形成。实例设备包含形成衬底材料的工作表面。所述实例设备包含形成于所述衬底材料的所述工作表面上的两个半导体结构之间的沟槽。所述实例设备进一步包含形成于与分离第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域的沟道区域对置的所述半导体结构的相邻侧壁上的存取线。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构的所述侧壁的一部分之上的时控形成抑制剂材料。所述实例设备进一步包含形成于所述半导体结构之上以围封所述存取线之间的非实心空间的电介质材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013165 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011211016.9 (22)申请日 2020.11.03 (30)优先权数据

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