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用于形成半导体器件的方法.pdfVIP

用于形成半导体器件的方法.pdf

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    本发明涉及一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口。第一侧壁和第二侧壁彼此相对。该方法还包括以第一沉积速率在开口的顶部上沉积第一介电材料，以及以第二沉积速率在第一介电材料上以及在第一侧壁和第二侧壁上沉积第二介电材料。第二介电材料以及第一侧壁和第二侧壁截留气袋。该方法还包括对第二介电材料执行处理工艺。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013100 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011292567.2 (22)申请日 2020.11.18 (30)优先权数据

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