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本发明公开了一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法,所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和起偏器,所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底、在所述硅衬底上设置有铌酸锂薄膜脊波导和调制电极,所述起偏器包括铌酸锂衬底,在所述铌酸锂衬底上设置有光波导。在本发明中,通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导,提高了波导对光波的限制能力,可以极大的缩小波导尺寸,进而减小了电极间距和电极长度。脊波导的调制电极分布于波导两侧,调制效率高于质子交换掩埋型波导,提高了调制效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113031317 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110326033.5
(22)申请日 2021.03.26
(71)申请人 武汉光迅科技股份有限公司
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