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一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻,N+区位于P阱区内,P+区与N+区相邻;欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间,栅氧化层上形成有多晶硅栅电极,多晶硅栅电极和栅氧化层的外周包覆有层间介质;层间介质、欧姆接触金属和肖特基接触金属上方覆盖有源极;栅氧化层覆盖P阱区表面,且其两侧分别覆盖N+区和N‑外延层内的JFET区的部分表面,欧姆接触金属覆盖P+区和N+区的部分表面,肖特基接触金属位于远离N+区的P+区一侧。该集成肖特基
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113035955 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202110215037.6 H01L 29/872 (2006.01)
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