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本发明提出一种半导体结构及其制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底至少包括第一区域和第二区域;形成垫氧化层于所述衬底上,所述垫氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域;分别在所述第一区域和所述第二区域内形成浅沟槽隔离结构;对所述第一区域进行离子掺杂,以在所述第一区域内形成第一阱区;移除位于所述第一区域上的部分所述垫氧化层,以在所述第一区域上形成第一氧化层;对所述第二区域进行离子掺杂,以在所述第二区域内形成第二阱区;移除位于所述第二区域上的部分所述垫氧化层,以在所述第二区域上形成第二氧化层。该制造方法可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113035770 B
(45)授权公告日 2021.08.13
(21)申请号 202110575021.6 (56)对比文件
(22)申请日 2021.05.26
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