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2023-06-12 发布于四川
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半导体晶片切割方法.pdf

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本发明揭示一种用于将晶片切割成个别裸片的半导体晶片切割方法，每一裸片包括一个集成电路。所述方法包括：‑将涂层安置于所述晶片上；‑移除所述涂层的至少一部分以暴露所述晶片的将沿着其切割所述晶片的区域以形成工件；‑将所述工件安置于处理室内的压板上；‑以一组等离子体处理条件对所述工件进行等离子体处理以蚀刻所述晶片的所述经暴露区域的一部分，从而形成在所述涂层下面横向延伸以形成底切的晶片凹槽；‑以不同于所述等离子体处理条件的一组等离子体蚀刻条件对所述工件进行等离子体蚀刻，以蚀刻穿过所述晶片且沿着所述晶片凹槽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113035780 A (43)申请公布日 2021.06.25 (21)申请号 202011153119.4 (22)申请日 2020.10.26 (30)优先权数据 1917988.6

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