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本发明提供了一种采用倒置OLED结构的硅基微显示器件及其制备方法和应用,包括基底及设置在基底上的阴极结构;所述阴极结构上设置功能层、功能层上设置阳极,阳极上设置封盖层;与现有技术相比,本发明提供的倒置OLED有效的解决正置微腔OLED结构空穴注入势垒高的问题,避免在底部阳极上制备ITO后降低阳极反射率的问题,增强微腔强度。本结构有效的降低驱动电压并提高亮度,为OLED提供更多空穴提高器件寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113054141 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110361071.4
(22)申请日 2021.04.02
(71)申请人 深圳
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