一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法.pdfVIP

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2023-06-12 发布于四川
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一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法.pdf

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本发明提供一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在预设加热功率比下进行分子束外延生长，以获得高电子迁移率器件外延片；测量跨整个外延片的光致发光半峰全宽二维图谱；识别二维图谱中的分界线，并计算分界距离；根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，确定下一次进行外延生长时所采用的加热功率比。通过获取测试样品的光致发光半峰全宽二维图谱，进而获得对应的分界距离，然后根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，计算获得经优化的加热功率比，实现了加热功率比的快速优化调整

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113035697 B (45)授权公告日 2021.07.30 (21)申请号 202110596527.5 C30B 23/06 (2006.01) (22)申请日

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