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本文中阐述了半导体器件及形成半导体器件的方法，旨在形成集成衬底上系统(SoIS)封装。SoIS封装包括集成扇出型结构及用于对多个半导体器件进行外部连接的器件重布线结构。集成扇出型结构包括将半导体器件中的两个半导体器件电耦合在一起的多个局部内连器件。在一些例子中，局部内连器件可为硅总线、局部硅内连线、集成无源器件、集成电压调节器等。可以晶片或面板的形式制作集成扇出型结构，且接着将集成扇出型结构单体化成多个集成扇出型结构。SoIS封装还可包括连接到集成扇出型结构的中介层，以用于对SoIS封装进行外部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053759 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202011570685.5 H01L 21/56 (2006.01)
(22)申请日 2
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