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本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的步骤、形成保护膜的步骤和蚀刻的步骤。提供基片的步骤提供基片,该基片具有被蚀刻膜、形成于被蚀刻膜之上的第1掩模和以覆盖第1掩模的至少一部分的方式形成的第2掩模。形成保护膜的步骤利用由第1气体生成的等离子体,在第2掩模的侧壁形成保护膜。蚀刻的步骤利用由第2气体生成的等离子体,蚀刻被蚀刻膜。根据本发明,能够抑制层叠的掩模的损耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035708 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202011472515.3
(22)申请日 2020.12.15
(30)优先权数据
2019-2336
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