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本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种键合结构及其形成方法、晶圆键合结构及晶圆的键合方法。所述晶圆间键合结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成停止层，所述停止层的材料为掺碳的氮化硅；在所述停止层中形成通孔，所述通孔不插入所述衬底；形成保护层，所述保护层覆盖所述通孔的侧壁和底部表面；在所述保护层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述通孔；平坦化所述金属材料层直至停止层，从而在所述通孔中形成键合金属层，所述键合金属层和两侧的停止层构成键合结构。本发明的方法防止了键合金属层表面凹陷缺陷的产
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053806 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110264360.2 H01L 21/18 (2006.01)
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