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本发明的实施例提供了一种通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件，涉及半导体技术领域，通过在介质层上开孔，形成贯穿介质层的第一导电通孔，再在停止层上开孔，形成贯穿停止层的第二导电通孔，第二导电通孔与第一导电通孔连接，且第二导电通孔的线宽大于相邻的第一导电通孔的线宽。通过在第一导电通孔的下部设置扩孔状的第二导电通孔，并通过第二导电通孔与第一导电层接触，从而在后续填充时增大了与第一导电层的接触面积，降低了接触电阻，进而提升了半导体器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053807 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110284739.X
(22)申请日 2021.03.17
(71)申请人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
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