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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，基底内具有围成凹槽的栅介质层，凹槽的延伸方向平行于基底表面，源区和漏区位于凹槽顶部的相对两侧；第一栅极，包括第一功函数层和第一导电层，第一功函数层覆盖凹槽底面和部分侧壁，第一导电层覆盖第一功函数层表面；第二栅极，包括第二功函数层和第二导电层，第二栅极层叠于第一栅极上且顶面低于基底表面，第二功函数层覆盖凹槽部分侧壁，第二导电层填充于第二功函数层围成的区域内，在垂直于基底表面的方向上，单位厚度的第二导电层的电阻小于单位厚度的第一导电层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113054005 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202110267911.0 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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