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本发明公开了一种栅约束NPN三极管型ESD器件及其实现方法,将现有栅约束硅控整流器中高浓度P型掺杂(20)右侧的所有结构全部去除,只保留所述高浓度P型掺杂(20)和左侧的高浓度N型掺杂(28)以及覆盖高浓度P型掺杂(20)和高浓度N型掺杂(28)之间第一低压N阱(60)上方的第一N型栅极(40),以构成栅约束P‑i‑N二极管,然后将该栅约束P‑i‑N二极管以所述高浓度P型掺杂(20)为中轴线左右对称折叠而构成栅约束NPN三极管,并将所述高浓度P型掺杂(20)两侧的N型栅极分别与其两侧的高浓度N型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113035862 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110209122.1
(22)申请日 2021.02.24
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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