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本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构,其中,半导体结构的形成方法,包括:提供基底,在基底表面形成介质层;在介质层表面形成掩膜层,掩膜层内具有贯穿掩膜层厚度的第一开口;在第一开口的侧壁形成第一阻挡层,第一阻挡层围成第二开口;形成填充第二开口的第二阻挡层;采用第一刻蚀工艺,去除第一阻挡层和第二阻挡层,直至第一阻挡层或第二阻挡层被完全去除;去除第一开口暴露出的介质层和部分基底,形成位线接触开口,位线接触开口的底部具有凸起区域和凹陷区域,凸起区域和凹陷区域具有高度差;本发明实施例旨在通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113035868 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202110214102.3 (56)对比文件
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