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本发明公开了一种离子束辅助磁控溅射沉积低温制备氧化铪基铁电薄膜的方法,包括以下步骤:(1)清洗基片;(2)将基片吹干,送入溅射室内;(3)用真空泵将溅射室抽至高真空,然后通入高纯氩气对氧化铪靶材和拟掺杂元素的氧化物靶材进行预溅射;(4)开启离子束辅助源和射频磁控溅射系统,在基片不加热的条件下,对基片表面进行一定时间的辅助溅射沉积,进而得到氧化铪基铁电薄膜;(5)关闭离子束辅助源和射频磁控溅射系统,开启上电极靶材的溅射电源,在氧化铪基铁电薄膜的表面制备上电极,进而形成半导体/金属‑HfO2基铁电薄
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113025959 A
(43)申请公布日 2021.06.25
(21)申请号 202110248284.6
(22)申请日 2021.03.07
(71)申请人 中国航空制造技术研究院
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