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一种制造半导体元件的方法包括提供一第一基板且在该第一基板上形成一抗蚀剂层。在一些实施例中，该方法进一步包括对该抗蚀剂层执行一曝光制程。该曝光制程包括使该抗蚀剂层经由一介入遮罩曝光于一辐射源。在一些实例中，该介入遮罩包括一第二基板、形成于该第二基板上的一多层结构、形成于该多层结构上的一覆盖层，及安置于该覆盖层上的一吸收体层。在一些实施例中，该吸收体层包括一第一主图案区域及与该第一主图案区域隔开一定距离的一开口区域。在各种实例中，该方法进一步包括在执行该曝光制程之后，对该经曝光抗蚀剂层进行显影以形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113050361 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110234490.1 H01L 21/027 (2006.01)
(22)申请日
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