半导体结构及其制造方法.pdfVIP

半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底上的III‑V族化合物层。所述III‑V族化合物层中具有彼此上下连通的n个沟槽，且n≥2。在所述n个沟槽中，最上方的第1沟槽的宽度至最下方的第n沟槽的宽度为递减的，且所述第n沟槽暴露出所述衬底的一部分。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053996 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202010869878.4 (22)申请日 2020.08.26 (30)优先权数据 108147941

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