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实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元及第1电路，所述存储单元具备开关元件及电阻变化元件，所述第1电路使存储单元成为接通状态，且对被设为接通状态的存储单元进行第1读出，产生基于第1读出的第1电压，对被进行了第1读出的存储单元写入第1数据后，使存储单元成为接通状态，当存储单元在第1读出动作时存储了第1数据时，维持接通状态进行第2读出，当存储单元在第1读出动作时存储了与第1数据不同的第2数据时，至少进行一次从接通状态向断开状态的转变后再进行第2读出，产生基于第2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053433 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202010870658.3
(22)申请日 2020.08.26
(30)优先权数据
2019-2379
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