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本发明实施例属于半导体结构作技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本发明实施例旨在解决相关技术中制作缝隙过程复杂的问题。制作方法具体包括：在基底上形成位线结构；每一位线背离基底的一侧具有绝缘块；在绝缘块背离基底的顶部形成遮挡部，遮挡部在基底的投影面积大于绝缘块在基底上的投影面积；在位线和绝缘块的侧壁上形成绝缘侧壁，遮挡部对应的绝缘侧壁内形成向基底延伸的缝隙。由于遮挡部在基底的投影面积大于位线结构在基底上的投影面积，在形成绝缘侧壁的过程中，遮挡部和基底之间的区域会提前封口，进而在遮
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113053808 B
(45)授权公告日 2022.06.17
(21)申请号 202110290442.4 H01L 21/8242 (2006.01)
(22)申请日 2021.
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