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本发明属于发光二极管技术领域,尤其涉及一种量子点薄膜,所述量子点薄膜的一表面接枝有第一卤化铵配体,所述量子点薄膜中与接枝有第一卤化铵配体的表面背对的另一表面接枝有第二卤化铵配体。本发明提供的量子点薄膜,可通过两侧表面接枝的不同类型的卤化铵配体,改善空穴和电子向量子点发光层的注入效率,使空穴和电子向量子点发光层注入平衡,提高空穴和电子在量子点发光层中的复合效率。在不影响量子点的光学性能的前提下,不但显著提高量子点的稳定性和分散性,同时提高载流子在量子点发光层中的复合几率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113025308 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 201911353286.0 H10K 50/115 (2023.01)
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