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2023-06-12 发布于四川
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半导体结构和形成集成电路结构的方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：具有前侧和背侧的衬底；从衬底突出并由隔离部件包围的有源区域；形成于衬底的前侧上并设置在有源区域上的栅极堆叠件；形成于有源区域上并由栅极堆叠件插入的第一源极/漏极(S/D)部件和第二源极/漏极(S/D)部件；设置在第一S/D部件的顶面上的前侧接触部件；设置在第二S/D部件的底面上并电连接到第二S/D部件的底面的背侧接触部件；以及设置在具有第一厚度的第一S/D部件的底面和具有第二厚度的栅极堆叠件的底面上的半导体层，该第二厚度大于第一厚度。本申请的实施例还

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053820 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110168041.1 H01L 27/092 (2006.01) (22)申请日

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