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本发明涉及一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法,该方法包括:提供牺牲层衬底和目标衬底,在牺牲层衬底上形成第一氧化层,在目标衬底上形成第二氧化层;在第一氧化层上依次形成二维材料层以及第三氧化层,并对第三氧化层以及二维材料层进行刻蚀,露出部分第一氧化层,形成多个岛状结构;形成包裹岛状结构的保护结构,各个岛状结构分别对应一个保护结构;在保护结构以及露出的部分第一氧化层上形成第四氧化层;将第四氧化层与第二氧化层进行键合,并暴露岛状结构中的二维材料,以实现二维材料的晶圆级转移。实现晶圆级二维材料的高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113035781 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110254999.2 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日 2021.0
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