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本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和应用。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括N型基体，N型基体的一侧设有沟槽，N型基体内设有P‑体区、P+区和N+区，P‑体区包绕所沟槽，P+区自所述沟槽的槽底向P‑体区延伸，N+区在沟槽内围绕沟槽的侧壁设置且露出P+区；栅氧化层，栅氧化层设置在N型基体的设有沟槽的一侧，并且露出沟槽；多晶硅层，多晶硅层设置在栅氧化层上，多晶硅层、栅氧化层、P+区与N+区围成接触孔；以及第一金属层，第一金属层设在多晶硅层上且向下延伸填充满接触孔，N+区的材料为
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113054031 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110271209.1
(22)申请日 2021.03.12
(71)申请人 深圳
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