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2023-06-12 发布于四川
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本公开描述了一种用于减少射频操作的设备或将受益于RC延迟减少的设备中的RC延迟的方法。该方法包括在衬底上形成具有源极/漏极区和栅极结构的晶体管结构；在衬底上沉积第一介电层以嵌入晶体管结构；在第一介电层内，在晶体管结构的源极/漏极区上形成源极/漏极接触件；在第一介电层上沉积第二介电层；在第二介电层中形成金属线；在金属线之间的第二介电层中形成开口以暴露第一介电层；通过所述开口蚀刻所述金属线之间的第二介电层和所述源极/漏极接触件之间的第一介电层；在第一和第二介电层中以及在晶体管结构上方沉积第三介电层以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113053884 A (43)申请公布日 2021.06.29 (21)申请号 202110179672.3 (22)申请日 2021.02.07 (30)优先权数据 16/849,70

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